중국에 본사를 둔 메모리 제조업체 CXMT가 기존의 셀 면적을 이론적으로 약 3분의 1 감소시키는 새로운 아키텍처 “4F²”를 사용한 차세대 메모리 모듈을 2026년 내에 출시할 예정이라고 밝혔습니다. 기술 장벽을 뛰어넘어, 장신사의 4F² 아키텍처가 곧 현실화될 예정이며, 고성능 서버 메모리 시장에 집중할 계획입니다.
중국 메모리 제조사 CXMT의 기술 주장이 삼성전자, SK hynix 주식을 하락시켰다 – 서울 경제신문
https://en.sedaily.com/international/2026/10/13/chinese-memory-makers-tech-claim-sinks-samsung-sk-hynix
CXMT의 새로운 DRAM 기술이 한국 메모리 제조사들의 우위를 시험한다 – 코리아타임스
https://www.koreatimes.co.kr/business/tech-science/20261013/cxmts-new-dram-tech-to-test-korean-memory-makers-dominance
CXMT 회장, 회사의 첫 번째 4F² DRAM이 연말까지 서버용 DDR5 RDIMM으로 출시될 것이라고 발표 – 수직 트랜지스터가 각 메모리 셀의 발자국을 종이 위에서 3분의 1로 줄이는 것으로 나타났지만 속도나 용량은 아직 없는 상태 | Tom's Hardware
https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/cxmt-president-says-companys-first-4f2-dram-will-be-a-server-ddr5-rdimm-due-by-year-end-vertical-transistors-cut-each-memory-cells-footprint-by-a-third-on-paper-but-no-speeds-or-capacities-yet
메모리 셀을 소형화하기 위해서는, 트랜지스터를 수평 방향이 아닌 수직 방향으로 배치한다는 기술적 돌파구가 필요했었습니다.
4F² 아키텍처는 수직 방향으로 배치하는 설계로, 상용 DRAM 칩에서 널리 사용되는 6F² 아키텍처에 비해 메모리 셀의 면적을 줄이고 있습니다. 셀 면적만으로 보면, 각 셀의 크기는 약 3분의 1 감소되며, 이론적으로 전체적으로 50% 더 많은 셀을 탑재할 수 있습니다. CXMT는 이 기술에 대한 연구와 업계 최고 수준의 300건 이상의 특허 출원을 진행했으며, 2021년, 2023년, 2025년에 논문을 발표했습니다. 삼성전자와 SK하이닉스도 수직 배치 트랜지스터 개발을 진행하고 있지만, 삼성전자조차 양산화 체제 목표를 2028년에 설정하고 있으며, CXMT는 2년 동안 선행하고 있는 것입니다.
이번 발표를 받으면서 삼성전자와 SK하이닉스 주가가 7% 이상 급락했습니다. 마이크론 주가 또한 4% 정도 하락했습니다. CXMT의 曹堪宇(Cao Kanyu) 사장은 4F² 아키텍처의 제1세대 제품으로서 DDR5 RDIMM(레지스터드·듀얼·인라인·메모리·모듈)을 위치시키고, 이 기술을 이용하여 서버 메모리 분야의 기술적·공학적인 병목 현상에 대응할 방향을 제시했습니다. 중국 매체인 第一財経(Dì Yà Jīng)에 따르면, 서버용 메모리 시장에서는 해외 제조사의 우위성이 두드러졌으며, CXMT는 지금까지 가전 시장에 주력해 왔습니다. 서울경제일보는 “CXMT가 지금까지 주력해 왔던 저전력 DRAM이 아닌, 먼저 서버용 DRAM에 이 기술을 적용한다는 결정은 한국의 반도체 제조업체에 대한 정면 돌파를 의미합니다”라고 보도했습니다. 일부 분석가들은 양산 시작이 2026년이라고 해도, 양산 체제가 안정화되기까지 상당한 시간이 걸릴 것이라고 전망했습니다.
원문 보기 | 출처: Gigazine